楊炳雄

教授，博士生導師

楊炳雄，男，1965年生，陝西鳳翔人，1986年本科畢業于清華大學物理系，1993年日本北海道大學電氣工程博士課程畢業。曆任北海道大學日立特聘研究員，紐約市立大學博士後研究員，富士通量子器件公司北美研發經理和美國Multiplex公司矽谷研發中心主任。2005年4月回國創立大連艾科科技開發有限公司，任總裁。2017年加入南京航空航天大學，任機電學院教授。2021年任海南大學土木工程建築學院兼職教授。

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研究方向

[1] 半導體原子層結晶生長機制；

[2] 高速半導體光電器件和物理；

[3] 物質的激光光譜學；

[4] 光纖傳感物理和應用；

[5] 單光子傳感技術；

[6] 激光精密測量技術。

科研情況

完成多項國家發改委、遼甯省和大連市發改委，經信委的産業化項目，産品在光通訊領域和氣體安全領域得到廣泛應用。

研究生招生方向

高精度激光器調制和控制技術；土木結構領域的光纖光栅技術。

 

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學習經曆

[1] 1981/09-1986/07，清華大學物理系，大學本科/學士；

[2] 1987/10-1993/03，日本北海道大學工學院，博士課程/工學博士；’

工作經曆

[1] 1993/04-1995/09，北海道大學，量子界面研究中心，日立特聘研究員；

[2] 1995/10-1997/09，紐約市立大學，化學系博士後研究員；

[3] 1997/10-2000/6，富士通量子器件（北美）公司；研發經理；

[4] 2000/07-2005/04，Multiplex Inc.，矽谷研發中心主任；

[5] 2005/05-2016/12，大連艾科科技開發有限公司和微波光電子工程研究中心，總裁、主任；

[6] 2017/01-至今，南京航空航天大學，機電學院，教授；

[7] 2021/01-至今，海南大學，365英国上市官网在线，兼職教授。

 

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代表性成果

1. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Migration–Enhanced Epitaxy of InP Using Polycrystalline InP as Phosphorus Source", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.30 pp.3782–3787 (1991)

2. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Molecular Beam Epitaxy and Migration–Enhanced Epitaxial Growth of InP Using Polycrystalline InP as Phosphorus Source", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32, pp.704–710, (1993)

3. Bing Xiong Yang and Hideki Hasegawa, "Effects of Phosphorus Pressure on Growth Rate and Layer Quality of InP Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33, pp.742–748, (1994)

4. B.X. Yang, T. Ozeki, Y. Ishikawa and H. Hasegawa "Scanning Tunneling Microscopy Study of InP Surface reconstruction Grown by MOMBE", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.35, No. 2, (1996)

5. ，Zeng, L.; Yang, B. X.; Shewareged, B.; Tamargo, M. C.; Wan, J. Z.; Pollak, Fred H.; Snoeks, E.; Zhao, L, Determination of defect density in ZnCdMgSe layers grown on InP using a chemical etch Journal of Applied Physics 82, 3306 (1997)

6. 工業專利30多個。